单晶硅纯度更好。”
“第一步熔炼，将高纯度的多晶硅置于石英坩埚中，加热至1414c以上，使其完全熔化形成硅液。为防止杂质引入，熔炼过程在充满惰性气体（如氩气）的密封环境中进行。控制石英坩埚的稳定性以降低氧掺杂问题，同时通过热场设计确保熔体温度均匀。”
“第二步种晶，选择晶向明确且无缺陷的种晶作为生长模板，缓慢浸入熔体表面。精确调整种晶的旋转速度和浸入深度，避免因骤冷或骤热而导致晶体断裂。通过种晶过程确定单晶硅棒的晶向和生长方向，为后续晶体生长打下基础。这个种晶的选择方法资料上也有，我都明确的介绍了。”
“第三步提拉，在种晶与硅液相结合的过程中，逐步提拉种晶，同时缓慢旋转。提拉速度和旋转速率需要保持动态平衡，确保晶体直径的均匀性与稳定性。咱们这边没办法实现实时监控晶体直径只能生产出来后拿到大学那边的实验室进行检测。”
李卫国停顿一下，转头跟刘宇说道：“没有实时监测的仪器不行，不能保证单晶硅的质量，等这边单晶硅出来，我给你一份激光测径仪实验原理，你顺带着去大学实验室那边问问，他们能不能将激光测径仪改出来。”
“好。”刘宇痛快的答应下来。
“最后一步是收尾，当晶体达到目标长度和直径后，逐步减小提拉速度，使熔体固化完成晶体生长。冷却过程同样需要均匀稳定，以避免应力裂纹的形成。”