圆是芯片的基本原材料，它是有单晶硅或其他半导体材料制成的圆形薄片。
而它的制造过程又涉及到了铸造、切割、表面抛光等几个子步骤。
这一步也是耗费的时间成本，也会增加芯片的成本。
毕竟北美等其他地区的人工成本很高，内地的人工成本，那可真是太有优势了。
第三步则是制造加工，这部分是芯片制造的核心部分。
制造加工主要用于完成集成电路中的基本元件，也就是晶体管的制造。
作为核心部分，整个过程就包括了清洗晶圆、氧化、导电金属沉积、光刻和刻蚀等步骤。
根据不同时代的技术工艺，会有不同的工艺区别，其中离子注入设备和光刻机这两大核心设备，就不得不提一下了。
众所周不知，离子注入设备是半导体制程中最为关键的工艺技术，是通过控制离子束的能量和剂量，可以改变材料的性质和结构。
更详细地解释，就是在硅晶圆中加入杂质元素，改变晶圆衬底材料的化学性质，包括载流子浓度和导电类型，但杂质注入会造成晶格损伤，这时需要退火工艺来修复硅晶格激活掺杂后的电晶体。
整个离子注入工艺的流程是离子源、离子加速器、离子质量分析器和扫描系统。
这些步骤，在国外，早已经不是什么稀罕技术了。
早在一九五零年的时候，北美人拉塞尔奥尔和威廉姆肖克莱就已经发明了离子注入工艺，并且后者在一九五四年的时候，就已经申请了这项发明的专利。
所以离子注入也是最早采用的半导体掺杂方法，它跟另一种掺杂方法，成为芯片制造的基本工艺之二。
一九五六年的时候，还是北美人，叫富勒的研究员发明了扩散工艺。
离子注入用于形成较浅的半导体结，扩散用于形成较深的半导体结。
这两种掺杂工艺就像炒菜中添加调味料，它是对半导体材料的“添油加醋”。
少量的其它物质掺进很纯的半导体材料中，使其变得不纯，对于半导体材料来说，其它物质就是杂质，掺入的过程就称为掺杂。
掺杂是将一定数量的其它物质掺加到半导体材料中，人为改变半导体