材料的电学性能的过程。
除了离子注入设备之外，还有就是光刻机。
但是在提光刻机之前，不得不说一下结型场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管这两者的区别了。
原时空历史上，一九五九年的时候，贝尔实验室的韩裔科学家江大原和马丁艾塔拉发明了金属氧化物半导体场效应晶体管。
这是第一个真正的紧凑型，也是第一个可以小型化并实际生产的晶体管，因为它可以代替大部分结型场效应晶体管，对电子行业的发展有着深远的影响。
这个时空，陈国华比对方更早地发明了这样的晶体管，但也没有早多少天。
也因此，一九五九年这一年，陈国华研发晶体管计算机之后，这才开启了晶体管尺寸缩小工艺的发展之路。
众所周不知，电压控制的场效应晶体管是一种使用电场效应改变器件电性能的晶体管。
主要用于放大弱信号，主要是无线信号，放大模拟和数字信号。
同时它又分为结型场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管，这两者也都主要用于集成电路，并且在工作原理上非常相似。
其中结型场效应晶体管是最简单的场效应晶体管，其中电流可以从源极流到漏极或从漏极流到源极。
而金属氧化物半导体场效应晶体管是一种四端半导体场效应晶体管，由可控硅氧化制成，所施加的电压决定了器件的电导率。
由于其高输入阻抗而在集成电路中起着至关重要的作用，它们主要用于功率放大器和开关，同时作为功能元件，金属氧化物半导体场效应晶体管在嵌入式系统设计中也是非常重要的。
二者的区别，就是结型场效应晶体管只能在耗尽模式下工作，反之金属氧化物半导体场效应晶体管可以在耗尽模式和增强模式下工作。
此外，结型场效应晶体管的高输入阻抗约为1010欧姆，这使其对输入电压信号敏感。
金属氧化物半导体场效应晶体管提供比结型场效应晶体管更高的输入阻抗，这得益于金属氧化物绝缘体，使得它们在栅极端的电阻更高。
简单来说，相比结型场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管的优点在