于耐压更高、泄露电流更小、输入阻抗更大。
所以不管如何，两者有相似的电性特点，但金属氧化物半导体场效应晶体管在大多数方面性能更优，是电路升级换代的首选器件！
接下来就是光刻工艺了，它是芯片制造的灵魂技术。
原时空的历史上，在一九五八年的时候，仙童半导体公司的诺伊斯、戈登摩尔等八叛逆，从照相机商店购买了三个16毫米镜头。
他们制作了一个步进和重复照相装置，用来制作掩膜，并且对掩膜板、光刻胶进行了改进。
这就是最原始的单个晶体管制造工艺。
华润公司出售的众多晶体管，便是这样的工艺制造出来的。
当然，振华研究所在后续制造出来的微米级别晶体管，自然是使用了其他工艺，而不是这样简陋工艺。
在原时空的历史上，仙童半导体的罗伯特诺伊斯在一九五九年的时候，就提出过一个技术设想：
“既然能用光刻法制造单个晶体管，那为什么不能用光刻法来批量制造晶体管呢？”
“把多种组件放在单一硅片上将能够实现工艺流程中的组件内部连接，这样体积和重量就会减小，价格也会降低。”
也因此，仙童半导体公司这才开始将光刻工艺尝试应用于晶体管批量制造。
为此，罗伯特诺伊斯还提出了平面技术的设想。
后来仙童半导体的八叛逆中的琼赫尔尼，他发明了光学蚀刻的处理方法，实现了诺伊斯的这种平面技术。
这种方法有些类似于利用底片冲洗照片的过程。
开始，琼赫尔尼用的是一片锗或硅，然后他在上面喷洒上一层叫做光阻剂的物质。
如果把光照在上面，光阻剂就会变得坚硬，然后就可以用一种特殊的化学药品清除掉没有被光照射到的光阻剂。
所以，赫尔尼就创造了一个光罩，它就像一张底片，上面有一簇小孔，用来过滤掉不清洁的东西，然后让它在光线中翻动。
在化学洗涤之后，金属板上只要是留下光阻剂的地方，杂质就不会散落到下面，以此来解决平面晶体管的可靠性问题。
从光刻机的发展史来看，六十年代初期是接触式