第一阶段：技术预研与团队组建
许志远首先意识到，光刻机的研发需要一支专业的团队，而目前研究所内的技术人员虽然有一定基础，但对于这么高精尖的设备，仍然显得经验不足。
他决定从以下几个方向入手：
从全国范围内筛选顶尖的光学、机械、材料学、控制工程领域的专家。
组建跨学科研发小组，分工明确，包括光源研发组、光学系统组、掩模版设计组、机械控制组、化学处理组等。
邀请高校的科研力量参与，例如龙国科学院、清华大学等顶尖学府中的专家教授。
“一个人再聪明，也搞不定光刻机这种技术怪兽。”许志远心里明白，团队协作是关键。
第二阶段：光刻机的核心技术攻关
根据系统提供的资料，许志远将光刻机的关键技术分为以下几个模块，并提出了每个模块的攻关目标：
光源系统：
使用193纳米深紫外（duv）光源作为第一代光刻机的核心光源。
攻克高功率激光器的设计难点，确保光源的稳定性和高能量输出。
高效率的光束整形系统，保证光线均匀分布。
光学投影系统：
引进超高精度的光学镜片，要求达到亚纳米级的加工精度。
研发多层反射镜技术，提高光线的利用率和成像精度。
机械控制系统：
设计高精度的步进扫描平台，确保硅片移动误差低于1纳米。
开发全新的伺服控制系统，实现实时动态校准。
掩模版与化学处理：
制造高精度的掩模版，确保芯片电路图案的完整性。
研发新型光刻胶和蚀刻液，保证图案转移的清晰度和稳定性。
第三阶段：样机制造与测试
样机设计：基于攻克的核心技术，设计并制造第一代光刻机原型机。
硅片加工测试：通过样机对硅片进行光刻测试，评估电路刻蚀的精度和良率。
优化迭代：根据测试结果，不断优化光源、镜片、掩模版等核心部件，提升设备的性能和稳定性。
第四阶段：