，能够满足更高精度的制程要求。
和工艺相对应的，蚀刻设备也分为湿法蚀刻设备和干法蚀刻设备。
湿法蚀刻设备通过化学溶液对硅片进行腐蚀，设备相对简单但需精确控制溶液流量和温度；干法蚀刻设备则借助等离子体技术，实现更精准的蚀刻，像反应离子蚀刻设备，通过射频电源激发反应气体产生等离子体，对硅片表面进行蚀刻。
薄膜沉积环节工艺分为两种，分别是简称为 pvd 的物理气相沉积和简称为 cvd 的化学气相沉积。
pvd 工艺中，靶材采用铝、钛、钨等金属，用于金属化层，辅助气体则使用氩气作为溅射气体。cvd 工艺里，介质层通过硅烷沉积二氧化硅，氨气与硅烷反应生成氮化硅，多晶硅则通过硅烷在高温下分解沉积而成。
这两种工艺相互配合，满足芯片制造中对不同薄膜材料和性能的需求。
pvd 设备主要有溅射镀膜设备，通过离子轰击靶材，使靶材原子溅射出来沉积在硅片表面；cvd 设备则更为复杂，包括常压化学气相沉积设备、低压化学气相沉积设备等，能在不同压力和温度条件下，实现各种薄膜材料的沉积。
掺杂工艺中，离子注入气体负责将特定的杂质离子注入硅片，改变硅片的电学性能，退火环境则在离子注入后，通过加热处理，修复硅片晶体结构的损伤，激活杂质离子，确保芯片的正常工作。
相关的离子注入设备通过电场加速离子，将特定离子注入硅片，实现对硅片电学性能的调控；退火设备则有电阻炉、快速热退火设备等，能根据不同工艺要求，精确控制退火温度和时间。
清洗与抛光环节，清洗化学品能够去除硅片表面的污染物和杂质，保证芯片制造环境的洁净；抛光耗材则用于对硅片表面进行平整化处理，提高硅片的平整度，为后续的制造工艺奠定基础。
这个时候后来才发扬光大的 p 也就是化学机械抛光技术还处于实验性使用阶段，尚未普及，清洗设备有喷淋式清洗机、超声波清洗机等，能有效去除硅片表面的杂质；在抛光设备方面，机械抛光设备利用研磨液和抛光垫对硅片进行表面平整处理。
除了制造环节的耗材之外，硅片作为芯片制造的基础